TD352IN

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TD352IN概述

先进的IGBT / MOSFET驱动器 Advanced IGBT/MOSFET Driver

Description

TD352 is an advanced gate driver for IGBT and power MOSFET. Control and protection functions are included and allow the design of high reliability systems.

Innovative active Miller clamp function avoids the need of negative gate drive in most applications and allows the use of a simple bootstrap supply for the high side driver.

■ 1A sink / 0.75A source min. gate drive

■ Active Miller clamp feature

■ Desaturation detection

■ Adjustable and accurate turn-on delay

■ UVLO protection

■ 2kV ESD protection

TD352IN中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 100ns Max

输出接口数 1

输出电压 28.3 V

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

下降时间Max 100 ns

上升时间Max 100 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 500 mW

电源电压 12V ~ 26V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 PDIP-8

外形尺寸

封装 PDIP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

TD352IN引脚图与封装图
TD352IN引脚图
TD352IN封装图
TD352IN封装焊盘图
在线购买TD352IN
型号: TD352IN
描述:先进的IGBT / MOSFET驱动器 Advanced IGBT/MOSFET Driver
替代型号TD352IN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TD352IN

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

TD352IDT

意法半导体

完全替代

TD352IN和TD352IDT的区别

TD352ID

意法半导体

功能相似

TD352IN和TD352ID的区别

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