TK100A10N1,S4XS

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TK100A10N1,S4XS中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 45 W

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 8800pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 45 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买TK100A10N1,S4XS
型号: TK100A10N1,S4XS
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列,Toshiba ### MOSFET 晶体管,Toshiba

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