TTC5200

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TTC5200概述

TOSHIBA  TTC5200  单晶体管 双极, NPN, 230 V, 30 MHz, 150 W, 15 A, 160 hFE

The from is a through hole NPN silicon transistor in TO-3P package with high collector voltage. This device is commonly used for power amplification.

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Collector to emitter voltage Vce is 230V
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Collector to base voltage of 230V
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Collector current Ic is 15A
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Power dissipation pd is 150W
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Junction temperature of 150°C
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Current gain of 35 at 7A collector current
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Collector to emitter saturation voltage of 3V
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Collector to emitter breakdown voltage of 230V
TTC5200中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 150 W

击穿电压集电极-发射极 230 V

集电极最大允许电流 15A

直流电流增益hFE 160

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

其他

产品生命周期 Active

制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Signal Processing, 电源管理, 便携式器材, 信号处理, Signal Processing, Power Management, Portable Devices, , Portable Devices

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

TTC5200引脚图与封装图
TTC5200引脚图
TTC5200封装图
TTC5200封装焊盘图
在线购买TTC5200
型号: TTC5200
制造商: Toshiba 东芝
描述:TOSHIBA  TTC5200  单晶体管 双极, NPN, 230 V, 30 MHz, 150 W, 15 A, 160 hFE

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