TK10A60W,S4VX

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TK10A60W,S4VX概述

MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS

通孔 N 通道 600 V 9.7A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS


得捷:
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine


TK10A60W,S4VX中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 30 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 700pF @300VVds

额定功率Max 30 W

下降时间 5.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK10A60W,S4VX
型号: TK10A60W,S4VX
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS

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