TN2425N8-G

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TN2425N8-G概述

SOT-89 N-CH 250V 0.48A

Make an effective common gate amplifier using this power MOSFET from Technology. Its maximum power dissipation is 1600 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

TN2425N8-G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.6 W

极性 N-CH

耗散功率 1.6 W

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 0.48A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 200pF @25VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

TN2425N8-G引脚图与封装图
TN2425N8-G引脚图
TN2425N8-G封装图
TN2425N8-G封装焊盘图
在线购买TN2425N8-G
型号: TN2425N8-G
制造商: Microchip 微芯
描述:SOT-89 N-CH 250V 0.48A
替代型号TN2425N8-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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