TP0620N3-G参数规格_中文资料_数据手册PDF

TP0620N3-G概述

TO-92P-CH 200V 0.175A

P-Channel 200V 175mA Tj 1W Ta Through Hole TO-92-3

得捷:
MOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3

欧时:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -200

立创商城:
TP0620N3-G

艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag

Allied Electronics:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -200V, 12 Ohm3 TO-92 BAG

TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.75A; 1W; TO92

Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag

TP0620N3-G中文资料参数规格

技术参数

额定功率 1 W

极性 P-CH

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 0.175A

输入电容Ciss 150pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TP0620N3-G引脚图与封装图

在线购买TP0620N3-G

型号： TP0620N3-G

描述：TO-92P-CH 200V 0.175A

替代型号TP0620N3-G