










晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -60 V, 10 ohm, -10 V, -2.4 V
P-Channel 60V 120mA Tj 360mW Ta Surface Mount TO-236AB SOT23
得捷:
MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB
立创商城:
TP0610T-G
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -60V, 10 Ohm3 SOT-23 T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.05A; SOT23-3
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 60V 0.12A SOT23-3
针脚数 3
漏源极电阻 10 Ω
极性 P-CH
耗散功率 0.36 W
阈值电压 2.4 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.12A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 60pF @25VVds
额定功率Max 360 mW
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 360mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
TP0610T-G Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
TP0610T Vishay Siliconix | 功能相似 | TP0610T-G和TP0610T的区别 |
TP0610K-T1 Vishay Intertechnology | 功能相似 | TP0610T-G和TP0610K-T1的区别 |