TP0610T-G

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TP0610T-G概述

晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -60 V, 10 ohm, -10 V, -2.4 V

P-Channel 60V 120mA Tj 360mW Ta Surface Mount TO-236AB SOT23


得捷:
MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB


立创商城:
TP0610T-G


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -60V, 10 Ohm3 SOT-23 T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.05A; SOT23-3


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 60V 0.12A SOT23-3


TP0610T-G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 10 Ω

极性 P-CH

耗散功率 0.36 W

阈值电压 2.4 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.12A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 60pF @25VVds

额定功率Max 360 mW

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 360mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TP0610T-G引脚图与封装图
TP0610T-G引脚图
TP0610T-G封装图
TP0610T-G封装焊盘图
在线购买TP0610T-G
型号: TP0610T-G
制造商: Microchip 微芯
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -60 V, 10 ohm, -10 V, -2.4 V
替代型号TP0610T-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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