晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -480 mA, -100 V, 2 ohm, -10 V, -2.4 V
Make an effective common gate amplifier using this power MOSFET from Technology. Its maximum power dissipation is 1600 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
额定功率 1.6 W
针脚数 3
漏源极电阻 2 Ω
耗散功率 1.6 W
阈值电压 2.4 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 125pF @25VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89-3
封装 SOT-89-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
TP2510N8-G Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
TP2510N8 微芯 | 功能相似 | TP2510N8-G和TP2510N8的区别 |