TP5322N8-G

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TP5322N8-G概述

SOT-89P-CH 220V 0.26A

P-Channel 220V 260mA Tj 1.6W Ta Surface Mount TO-243AA SOT-89


得捷:
MOSFET P-CH 220V 260MA TO243AA


立创商城:
TP5322N8-G


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 220V 0.26A 4-Pin3+Tab SOT-89


Allied Electronics:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -220V, 12 Ohm3 SOT-89 T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.7A; 1.6W; SOT89-3


Win Source:
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET


TP5322N8-G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.6 W

极性 P-CH

耗散功率 1.6W Ta

漏源极电压Vds 220 V

连续漏极电流Ids 0.26A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 110pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

TP5322N8-G引脚图与封装图
TP5322N8-G引脚图
TP5322N8-G封装图
TP5322N8-G封装焊盘图
在线购买TP5322N8-G
型号: TP5322N8-G
制造商: Microchip 微芯
描述:SOT-89P-CH 220V 0.26A
替代型号TP5322N8-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TP5322N8-G

Microchip 微芯

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