TN2540N8-G

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TN2540N8-G概述

晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 260 mA, 400 V, 8 ohm, 10 V, 2 V

N-Channel 400V 260mA Tj 1.6W Ta Surface Mount TO-243AA SOT-89


得捷:
MOSFET N-CH 400V 260MA TO243AA


立创商城:
TN2540N8-G


欧时:
MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 400V


贸泽:
MOSFET 400V 12Ohm


e络盟:
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 260 mA, 400 V, 8 ohm, 10 V, 2 V


艾睿:
Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? Microchip Technology&s;s TN2540N8-G power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 1600 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MOSFET; N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE; 400V; 12 Ohm3 SOT-89T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 400V 0.26A 4-Pin3+Tab SOT-89


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1A; 1.6W; SOT89


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


儒卓力:
**N-CH 400V 1A 12000mOhm TO-243AA **


Win Source:
MOSFET N-CH 400V 260MA SOT89-3


TN2540N8-G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.6 W

针脚数 3

漏源极电阻 8 Ω

耗散功率 1.6 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 400 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 125pF @25VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TN2540N8-G引脚图与封装图
TN2540N8-G引脚图
TN2540N8-G封装图
TN2540N8-G封装焊盘图
在线购买TN2540N8-G
型号: TN2540N8-G
制造商: Microchip 微芯
描述:晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 260 mA, 400 V, 8 ohm, 10 V, 2 V

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