TN2124K1-G参数规格_中文资料_数据手册PDF

TN2124K1-G概述

晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 134 mA, 240 V, 15 ohm, 4.5 V, 2 V

Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? Technology"s power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 360 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

TN2124K1-G中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.36 W

针脚数 3

漏源极电阻 15 Ω

极性 N-CH

耗散功率 360 mW

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 240 V

连续漏极电流Ids 0.134A

上升时间 2 ns

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 360 mW

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360mW Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.95 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TN2124K1-G引脚图与封装图

在线购买TN2124K1-G

型号： TN2124K1-G

制造商： Microchip 微芯

描述：晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 134 mA, 240 V, 15 ohm, 4.5 V, 2 V

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