TN5325N8-G

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TN5325N8-G概述

SOT-89 N-CH 250V 0.316A

N-Channel 250V 316mA Tj 1.6W Ta Surface Mount TO-243AA SOT-89


得捷:
MOSFET N-CH 250V 0.316A SOT89-3


立创商城:
TN5325N8-G


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the TN5325N8-G power MOSFET, developed by Microchip Technology. Its maximum power dissipation is 1600 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
MOSFET; N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE; 250V; 7.0 Ohm3 SOT-89T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 250V 0.316A 3-Pin SOT-89 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.2A; 1.6W; SOT89-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.316A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


TN5325N8-G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.6 W

极性 N-CH

耗散功率 1.6 W

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 0.316A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 110pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

TN5325N8-G引脚图与封装图
TN5325N8-G引脚图
TN5325N8-G封装图
TN5325N8-G封装焊盘图
在线购买TN5325N8-G
型号: TN5325N8-G
制造商: Microchip 微芯
描述:SOT-89 N-CH 250V 0.316A
替代型号TN5325N8-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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