TK33S10N1Z,LQ概述
N-CH 100V 33A
N-Channel 100V 33A Ta 125W Tc Surface Mount DPAK+
得捷:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK+ T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK+ T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
TK33S10N1Z,LQ中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 125 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 33A
上升时间 8.4 ns
输入电容Ciss 2050pF @10VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 11.5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买TK33S10N1Z,LQ