TK10E60W,S1VX概述
MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20NC
N-Channel 600V 9.7A Ta 100W Tc Through Hole TO-220
得捷:
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
贸泽:
MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
TK10E60W,S1VX中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 700pF @300VVds
额定功率Max 100 W
下降时间 5.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
高度 15.1 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
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