TPN14006NH,L1Q

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TPN14006NH,L1Q概述

8-TSON高级

N-Channel 60V 13A Ta 700mW Ta, 30W Tc Surface Mount 8-TSON Advance 3.3x3.3


得捷:
MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV


贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R


DeviceMart:
MOSFET N CH 60V 13A 8TSON


TPN14006NH,L1Q中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 11 mΩ

耗散功率 1.9 W

阈值电压 2V ~ 4V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 1300pF @30VVds

下降时间 5.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 700mW Ta, 30W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSON-Advance-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.85 mm

封装 TSON-Advance-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买TPN14006NH,L1Q
型号: TPN14006NH,L1Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:8-TSON高级

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