TK8A60W,S4VX参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK8A60W,S4VX概述

Mosfet n Ch 600V 8A To-220sis

N-Channel 600V 8A Ta 30W Tc Through Hole TO-220SIS

得捷:
MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine

TK8A60W,S4VX中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 30 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 570pF @300VVds

额定功率Max 30 W

下降时间 5.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买TK8A60W,S4VX

型号： TK8A60W,S4VX

描述：Mosfet n Ch 600V 8A To-220sis