TS912BIDT

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TS912BIDT概述

STMICROELECTRONICS  TS912BIDT  运算放大器, 双路, 1.4 MHz, 2个放大器, 1.3 V/µs, 2.7V 至 16V, SOIC, 8 引脚

CMOS 放大器 电路 满摆幅 8-SOIC


欧时:
TS912BIDT, Op Amps


得捷:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TS912BIDT


贸泽:
Operational Amplifiers - Op Amps Dual Rail-to-Rail 3V


e络盟:
运算放大器, 双路, 1.4 MHz, 2个放大器, 1.3 V/µs, 2.7V 至 16V, SOIC, 8 引脚


艾睿:
Op Amp Dual GP R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SO N T/R


安富利:
OP Amp Dual GP R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SO N T/R


Chip1Stop:
OP Amp Dual GP R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SO N T/R


Verical:
OP Amp Dual GP R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SO N T/R


儒卓力:
**2xOP 1,4MHz 0,4V/µs SO8 _SMD **


DeviceMart:
IC OP AMP R-R DUAL 8-SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 1.4MHZ RRO 8SO


TS912BIDT中文资料参数规格
技术参数

输出电流 75 mA

供电电流 400 µA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

共模抑制比 60 dB

带宽 1.4 MHz

转换速率 1.30 V/μs

增益频宽积 1.4 MHz

输入补偿电压 2 mV

输入偏置电流 1 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 1 MHz

共模抑制比Min 60 dB

电源电压 2.7V ~ 16V

电源电压Max 16 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

TS912BIDT引脚图与封装图
TS912BIDT引脚图
TS912BIDT封装图
TS912BIDT封装焊盘图
在线购买TS912BIDT
型号: TS912BIDT
描述:STMICROELECTRONICS  TS912BIDT  运算放大器, 双路, 1.4 MHz, 2个放大器, 1.3 V/µs, 2.7V 至 16V, SOIC, 8 引脚
替代型号TS912BIDT
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