TK100E06N1,S1X参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK100E06N1,S1X概述

Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3Pin3+Tab TO-220

通孔 N 通道 60 V 100A（Ta） 255W（Tc） TO-220

得捷:
MOSFET N CH 60V 100A TO-220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine

Win Source:
MOSFET N CH 60V 100A TO-220

TK100E06N1,S1X中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 255 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 67 ns

输入电容Ciss 10500pF @30VVds

额定功率Max 255 W

下降时间 64 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 255W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TK100E06N1,S1X引脚图与封装图

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型号： TK100E06N1,S1X

描述：Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3Pin3+Tab TO-220