TK22A10N1,S4X

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TK22A10N1,S4X概述

Trans MOSFET N-CH 100V 52A 3Pin TO-220SIS

通孔 N 通道 100 V 22A(Tc) 30W(Tc) TO-220SIS


得捷:
MOSFET N-CH 100V 22A TO220SIS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 52A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 52A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 22A TO220SIS / N-Channel 100 V 22A Tc 30W Tc Through Hole TO-220SIS


TK22A10N1,S4X中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 30 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1800pF @50VVds

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买TK22A10N1,S4X
型号: TK22A10N1,S4X
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 52A 3Pin TO-220SIS

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