TPN2R703NL,L1Q

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TPN2R703NL,L1Q概述

8-TSON高级

N-Channel 30V 45A Tc 700mW Ta, 42W Tc Surface Mount 8-TSON Advance 3.3x3.3


得捷:
MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON


贸泽:
MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON


TPN2R703NL,L1Q中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 42 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 4.4 ns

输入电容Ciss 2100pF @15VVds

下降时间 5.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700mW Ta, 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSON-Advance-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.85 mm

封装 TSON-Advance-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TPN2R703NL,L1Q
型号: TPN2R703NL,L1Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:8-TSON高级

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