TK34E10N1,S1X

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TK34E10N1,S1X概述

MOSFET N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS

通孔 N 通道 75A(Tc) 103W(Tc) TO-220


得捷:
MOSFET N-CH 100V 75A TO220


贸泽:
MOSFET N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine


TK34E10N1,S1X中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 9.5 mΩ

耗散功率 103 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 2600pF @50VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 103W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.45 mm

高度 15.1 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TK34E10N1,S1X引脚图与封装图
TK34E10N1,S1X引脚图
TK34E10N1,S1X封装图
在线购买TK34E10N1,S1X
型号: TK34E10N1,S1X
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS

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