TK7J90E,S1E参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK7J90E,S1E概述

Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3Pin TO-3PN

通孔 N 通道 900 V 7A（Ta） 200W（Tc） TO-3P（N）

得捷:
MOSFET N-CH 900V 7A TO3P

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin3+Tab TO-3PN Bag/Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin3+Tab TO-3PN Bag/Tube

TK7J90E,S1E中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

耗散功率 200 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 900 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 1350pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： TK7J90E,S1E

描述：Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3Pin TO-3PN