TPN1110ENH,L1Q概述
8-TSON高级
表面贴装型 N 通道 200 V 7.2A（Ta） 700mW（Ta），39W（Tc） 8-TSON Advance（3.1x3.1）
得捷:
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
贸泽:
MOSFET UMOSVIII 200V 126m VGS=10V TSON-ADV
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 13A 8-Pin TSON
TPN1110ENH,L1Q中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 39 W
漏源极电压Vds 200 V
上升时间 5.2 ns
输入电容Ciss 600pF @100VVds
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700mW Ta, 39W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSON-Advance-8
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
高度 0.85 mm
封装 TSON-Advance-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买TPN1110ENH,L1Q