TK5Q65W,S1Q参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

TK5Q65W,S1Q图片1

TK5Q65W,S1Q概述

Trans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3Pin IPAK

N-Channel 650V 5.2A Ta 60W Tc Through Hole I-PAK

得捷:
MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK

艾睿:
MOSFETs Silicon N-channel MOS

TK5Q65W,S1Q中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 60W Tc

漏源极电压Vds 650 V

输入电容Ciss 380pF @300VVds

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买TK5Q65W,S1Q

型号： TK5Q65W,S1Q

制造商： Toshiba 东芝

描述：Trans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3Pin IPAK