TK31A60W,S4VX

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TK31A60W,S4VX概述

MOSFET N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86NC

通孔 N 通道 600 V 30.8A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS


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TK31A60W,S4VX


得捷:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS


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MOSFET N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS


TK31A60W,S4VX中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 73 mΩ

耗散功率 45 W

阈值电压 2.7V ~ 3.7V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 3000pF @300VVds

下降时间 8.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买TK31A60W,S4VX
型号: TK31A60W,S4VX
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86NC

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