TK6A80E,S4X

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TK6A80E,S4X概述

TO-220NIS N-CH 800V 6A

N-Channel 800V 6A Ta 45W Tc Through Hole TO-220SIS


立创商城:
TK6A80E,S4X


得捷:
MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS / N-Channel 800 V 6A Ta 45W Tc Through Hole TO-220SIS


TK6A80E,S4X中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 45W Tc

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 6A

输入电容Ciss 1350pF @25VVds

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

TK6A80E,S4X引脚图与封装图
TK6A80E,S4X引脚图
TK6A80E,S4X封装图
TK6A80E,S4X封装焊盘图
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型号: TK6A80E,S4X
制造商: Toshiba 东芝
描述:TO-220NIS N-CH 800V 6A

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