TPN7R506NH,L1Q概述
8-TSON高级
表面贴装型 N 通道 60 V 26A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
得捷:
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
贸泽:
MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 8-Pin TSON Embossed T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R
TPN7R506NH,L1Q中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 16 mΩ
耗散功率 42 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
上升时间 5.7 ns
输入电容Ciss 1800pF @30VVds
下降时间 5.6 ns
耗散功率Max 700mW Ta, 42W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSON-Advance-8
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
高度 0.85 mm
封装 TSON-Advance-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买TPN7R506NH,L1Q