TK6Q65W,S1Q概述
Trans MOSFET N-CH 650V 5.8A 3Pin IPAK
N-Channel 650V 5.8A Ta 60W Tc Through Hole I-PAK
得捷:
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK
贸泽:
MOSFET Power MOSFET N-Channel
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin3+Tab IPAK Magazine
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin3+Tab IPAK Magazine
TK6Q65W,S1Q中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 890 mΩ
耗散功率 60 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 390pF @300VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.65 mm
宽度 2.3 mm
高度 6.1 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
TK6Q65W,S1Q引脚图与封装图 
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