TK6P65W,RQ

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TK6P65W,RQ概述

Trans MOSFET N-CH 650V 5.8A 3Pin DPAK

N-Channel 650V 5.8A Ta 60W Tc Surface Mount DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 5.8A 3-Pin DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TK6P65W,RQ中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 60 W

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 390pF @300VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK6P65W,RQ
型号: TK6P65W,RQ
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET N-CH 650V 5.8A 3Pin DPAK

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