TPH2R306NH,L1Q

TPH2R306NH,L1Q图片1
TPH2R306NH,L1Q概述

8-SOP 高级

N-Channel 60V 60A Tc 1.6W Ta, 78W Tc Surface Mount 8-SOP Advance 5x5


得捷:
MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP


贸泽:
MOSFET U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET


Win Source:
MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV


TPH2R306NH,L1Q中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.9 mΩ

耗散功率 78 W

阈值电压 2V ~ 4V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

上升时间 9.9 ns

输入电容Ciss 6100pF @30VVds

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1.6W Ta, 78W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 5 mm

高度 0.95 mm

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TPH2R306NH,L1Q
型号: TPH2R306NH,L1Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:8-SOP 高级

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