TK10P60W,RVQ参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK10P60W,RVQ概述

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3Pin2+Tab DPAK T/R

N-Channel 600V 9.7A Ta 80W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

DeviceMart:
MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

Win Source:
MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

TK10P60W,RVQ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 80 W

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 700pF @300VVds

额定功率Max 80 W

耗散功率Max 80W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK10P60W,RVQ

型号： TK10P60W,RVQ

描述：Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3Pin2+Tab DPAK T/R