TPN4R203NC,L1Q

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TPN4R203NC,L1Q概述

8-TSON高级

N-Channel 30V 23A Ta 700mW Ta, 22W Tc Surface Mount 8-TSON Advance 3.3x3.3


得捷:
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV


贸泽:
MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R


Win Source:
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV


TPN4R203NC,L1Q中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 35 mΩ

耗散功率 22 W

阈值电压 1.3V ~ 2.3V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 1370pF @15VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 700mW Ta, 22W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSON-Advance-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.85 mm

封装 TSON-Advance-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TPN4R203NC,L1Q
型号: TPN4R203NC,L1Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:8-TSON高级

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