TK5Q60W,S1VQ概述
IPAK N-CH 600V 5.4A
N-Channel 600V 5.4A Ta 60W Tc Through Hole I-PAK
得捷:
MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
贸泽:
MOSFET DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 380pF10.5nC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
DeviceMart:
MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
TK5Q60W,S1VQ中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 60 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 5.4A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 380pF @300VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.65 mm
宽度 2.3 mm
高度 6.1 mm
封装 TO-251-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
在线购买TK5Q60W,S1VQ