TK20V60W,LVQ概述
DFN N-CH 600V 20A
N-Channel 600V 20A Ta 156W Tc Surface Mount 4-DFN-EP 8x8
得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
贸泽:
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 156W 1680pF 20A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN / N-Channel 600 V 20A Ta 156W Tc Surface Mount 4-DFN-EP 8x8
TK20V60W,LVQ中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 170 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 156 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 1680pF @300VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 156W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 DFN-5
外形尺寸
长度 8 mm
宽度 8 mm
高度 0.85 mm
封装 DFN-5
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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