TK11A65W,S5X

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TK11A65W,S5X概述

Trans MOSFET N-CH 650V 11.1A 3Pin TO-220SIS

通孔 N 通道 11.1A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS


得捷:
MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS


贸泽:
MOSFET MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11.1A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 11.1A 3-Pin TO-220SIS


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 11.1A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220


TK11A65W,S5X中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 330 mΩ

耗散功率 35 W

阈值电压 2.5V ~ 3.5V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 890pF @300VVds

下降时间 5.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买TK11A65W,S5X
型号: TK11A65W,S5X
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET N-CH 650V 11.1A 3Pin TO-220SIS

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