TK25E60X,S1X

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TK25E60X,S1X概述

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3Pin TO-220

N-Channel 600V 25A Ta 180W Tc Through Hole TO-220


得捷:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TK25E60X,S1X中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 180 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 2400pF @300VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 180W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK25E60X,S1X
型号: TK25E60X,S1X
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3Pin TO-220

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