TK14C65W,S1Q

TK14C65W,S1Q图片1
TK14C65W,S1Q概述

Trans MOSFET N-CH 650V 13.7A 3Pin I2PAK

通孔 N 通道 650 V 13.7A(Ta) 130W(Tc) I2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 13.7A 3-Pin I2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK / N-Channel 650 V 13.7A Ta 130W Tc Through Hole I2PAK


TK14C65W,S1Q中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 130W Tc

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 1300pF @300VVds

下降时间 7 ns

耗散功率Max 130W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买TK14C65W,S1Q
型号: TK14C65W,S1Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET N-CH 650V 13.7A 3Pin I2PAK

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