TK31J60W,S1VQ

TK31J60W,S1VQ图片1
TK31J60W,S1VQ图片2
TK31J60W,S1VQ图片3
TK31J60W,S1VQ概述

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3Pin3+Tab TO-3PN Bag/Tube

N-Channel 600V 30.8A Ta 230W Tc Through Hole TO-3PN


得捷:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P


贸泽:
MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin3+Tab TO-3PN Bag/Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin3+Tab TO-3PN Bag/Tube


DeviceMart:
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN


Win Source:
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN


TK31J60W,S1VQ中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 230 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 3000pF @300VVds

额定功率Max 230 W

下降时间 8.5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.5 mm

宽度 4.5 mm

高度 20 mm

封装 TO-3-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买TK31J60W,S1VQ
型号: TK31J60W,S1VQ
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3Pin3+Tab TO-3PN Bag/Tube

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台