TPH6400ENH,L1Q

TPH6400ENH,L1Q图片1
TPH6400ENH,L1Q概述

8-SOP 高级

表面贴装型 N 通道 200 V 13A(Ta) 1.6W(Ta),57W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)


得捷:
MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP


贸泽:
MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21A 8-Pin SOP Advance T/R


TPH6400ENH,L1Q中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 57 W

漏源极电压Vds 200 V

输入电容Ciss 1100pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Ta, 57W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 5 mm

高度 0.95 mm

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TPH6400ENH,L1Q
型号: TPH6400ENH,L1Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:8-SOP 高级

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