TK7Q60W,S1VQ参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK7Q60W,S1VQ概述

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3Pin IPAK

N-Channel 600V 7A Ta 60W Tc Through Hole I-PAK

得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin3+Tab IPAK Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin IPAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin3+Tab IPAK Tube

TK7Q60W,S1VQ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 60 W

阈值电压 3.7 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 490pF @300VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TK7Q60W,S1VQ引脚图与封装图

在线购买TK7Q60W,S1VQ

型号： TK7Q60W,S1VQ

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3Pin IPAK