TK58A06N1,S4X参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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TK58A06N1,S4X概述

Trans MOSFET N-CH 60V 105A 3Pin TO-220SIS

通孔 N 通道 60 V 58A（Tc） 35W（Tc） TO-220SIS

得捷:
MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS

贸泽:
MOSFET MOSFET NCh 4.4ohm VGS10V10uAVDS60V

TK58A06N1,S4X中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 4.4 mΩ

耗散功率 35 W

阈值电压 2V ~ 4V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

输入电容Ciss 3400pF @30VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买TK58A06N1,S4X

型号： TK58A06N1,S4X

制造商： Toshiba 东芝

描述：Trans MOSFET N-CH 60V 105A 3Pin TO-220SIS