TK9A65W,S5X

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TK9A65W,S5X概述

Trans MOSFET N-CH 650V 9.3A 3Pin TO-220SIS

N-Channel 650V 9.3A Ta 30W Tc Through Hole TO-220SIS


得捷:
MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.3A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.3A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine


TK9A65W,S5X中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 30 W

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 700pF @300VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买TK9A65W,S5X
型号: TK9A65W,S5X
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET N-CH 650V 9.3A 3Pin TO-220SIS

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