Trans MOSFET N-CH 600V 20A 8Pin DFN
N-Channel 600V 20A Ta 156W Tc Surface Mount 4-DFN-EP 8x8
得捷: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
艾睿: Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
Win Source: MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN
耗散功率 156W Tc
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 1800pF @300VVds
额定功率Max 156 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 156W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 DFN-4
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册