TK14G65W,RQ概述
TK14G65W,RQ 编带
N-Channel 650V 13.7A Ta 130W Tc Surface Mount D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
立创商城:
N沟道 650V 13.7A
贸泽:
MOSFET Power MOSFET N-Channel
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 13.7A 3-Pin D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TK14G65W,RQ中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 220 mΩ
耗散功率 130 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 1300pF @300VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 130W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
高度 10.4 mm
封装 TO-262-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
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