TK12A60W,S4VX

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TK12A60W,S4VX概述

TO-220SIS N-CH 600V 11.5A

通孔 N 通道 600 V 11.5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS


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TK12A60W,S4VX


得捷:
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine


Win Source:
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS


TK12A60W,S4VX中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 35 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 11.5A

输入电容Ciss 890pF @300VVds

额定功率Max 35 W

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK12A60W,S4VX
型号: TK12A60W,S4VX
制造商: Toshiba 东芝
描述:TO-220SIS N-CH 600V 11.5A

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