TK10A80E,S4X概述
Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3Pin TO-220SIS
N-Channel 800V 10A Ta 50W Tc Through Hole TO-220SIS
得捷:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
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TK10A80E,S4X
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MOSFET PLN MOS 800V 1000m VGS=10V TO-220SIS
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Trans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Tube
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Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin TO-220SIS
TK10A80E,S4X中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 700 mΩ
耗散功率 50 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 2000pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
高度 15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
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