TK16E60W5,S1VX概述
Trans MOSFET N-CH 600V 15.8A 3Pin TO-220
N-Channel 600V 15.8A Ta 130W Tc Through Hole TO-220
得捷:
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
贸泽:
MOSFET Power MOSFET N-Channel
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB
TK16E60W5,S1VX中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 180 mΩ
耗散功率 130 W
阈值电压 3 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 1350pF @300VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 130W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
高度 15.1 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买TK16E60W5,S1VX
替代型号TK16E60W5,S1VX
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
TK16E60W5,S1VX Toshiba 东芝 | 当前型号 | 当前型号 |
STP28N65M2 意法半导体 | 功能相似 | TK16E60W5,S1VX和STP28N65M2的区别 |