TK32A12N1,S4X

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TK32A12N1,S4X概述

Trans MOSFET N-CH 120V 60A 3Pin TO-220SIS

通孔 N 通道 120 V 32A(Tc) 30W(Tc) TO-220SIS


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TK32A12N1,S4X


得捷:
MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS


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Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine


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Trans MOSFET N-CH 120V 60A 3-Pin TO-220SIS


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine


TK32A12N1,S4X中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 30 W

漏源极电压Vds 120 V

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 2000pF @60VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买TK32A12N1,S4X
型号: TK32A12N1,S4X
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET N-CH 120V 60A 3Pin TO-220SIS

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