TK35A08N1,S4X参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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TK35A08N1,S4X概述

Trans MOSFET N-CH 80V 55A 3Pin TO-220SIS

通孔 N 通道 80 V 35A（Tc） 30W（Tc） TO-220SIS

得捷:
MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS

贸泽:
MOSFET MOSFET NCh 10ohm VGS10V10uAVDS80V

TK35A08N1,S4X中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 30 W

漏源极电压Vds 80 V

输入电容Ciss 1700pF @40VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买TK35A08N1,S4X

型号： TK35A08N1,S4X

制造商： Toshiba 东芝

描述：Trans MOSFET N-CH 80V 55A 3Pin TO-220SIS