TPH2900ENH,L1Q

TPH2900ENH,L1Q图片1
TPH2900ENH,L1Q概述

8-SOP 高级

表面贴装型 N 通道 200 V 33A(Ta) 78W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)


得捷:
MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP


贸泽:
MOSFET Power MOSFET N-Channel


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8


TPH2900ENH,L1Q中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 78 W

漏源极电压Vds 200 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 2200pF @100VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 78W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 5 mm

高度 0.95 mm

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买TPH2900ENH,L1Q
型号: TPH2900ENH,L1Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:8-SOP 高级

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